Kormányos Andor
egyetemi docens
PhD (Eötvös Loránd Tudományegyetem, Budapest, 2004)
Szoba: Északi tömb 5.87
Telefon: +36-1-372-2500
Mellék: 6555
Mobilszám: n.a.
Honlap: akormanyos.web.elte.hu
Emailcím: uh.etle.ktt@soynamrok.rodna
Biográfia:
EmploymentSince May 2021: Associate professor at Eötvös Loránd University, Budapest, Hungary
Aug 2018- May 2021 : researcher at Eötvös Loránd University, Budapest, Hungary
Dec 2011- July 2018: Postdoc at University of Konstanz, Germany
Jul 2007 - Nov 2011: Research Associate at Lancaster University, UK
Jan 2005 - Jun 2007: Early Stage Researcher at Lancaster University, UK
Education
Dec 2004: PhD degree, Eötvös Loránd University, Budapest, Hungary
Jul 2000: MSc in Physics, Eötvös Loránd University, Budapest, Hungary
Research interest: 2d materials and their heterostructures, graphene, transition metal dichalcogenides, Josephson current in 2d materials
Tudományos adatbázisok profiloldalai:
- Publikációs lista: MTMT2
- Publikációs lista: ORCID
- Publikációs lista: ResearcherID
- Publikációs lista: Scopus
- Publikációs lista: Google Scholar
Az utolsó 5 év válogatott közleményei:
- Cs. G. Péterfalvi, A. David, P. Rakyta, G. Burkard, A. Kormányos, Quantum interference tuning of spin-orbit coupling in twisted van der Waals trilayers Physical Review Research 4 (2), L022049
- A. David, P. Rakyta, A. Kormányos, and G. Burkard, 2019. Induced spin-orbit coupling in twisted graphene--transition metal dichalcogenide heterobilayers: Twistronics meets spintronics. Phys. Rev. B 100, 085412
-
R. Pisoni, A. Kormányos, M. Brooks, Z. Lei, P. Back, M. Eich, H. Overweg, Y. Lee, P. Rickhaus, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. Imamoglu, G. Burkard, T. Ihn, and K. Ensslin, 2018. Interactions and Magnetotransport through Spin-Valley Coupled Landau Levels in Monolayer MoS2. Phys. Rev. Lett. 121, 247701
-
A. David, G. Burkard, and A. Kormányos, 2018. Effective theory of monolayer TMDC double quantum dots. 2D Materials 5, 035031
-
A. Kormányos, V. Zólyomi, V. I Fal'ko, G. Burkard, 2018. Tunable Berry curvature and valley and spin Hall effect in bilayer MoS2. Phys. Rev. B 98, 035408